GAN3R2-100CBEAZ

Name: Nexperia GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN3R2-100CBEAZ
Price: 36.45 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GAN3R2-100CBEAZ

制造商编号：

GAN3R2-100CBEAZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8

数据表:

GAN3R2-100CBEAZ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WLCSP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	394 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
零件号别名:	934665899341

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数据表

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

eMode GaN FET

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库存量: 857

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生产周期：: 4 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥41.1885	¥41.19
	¥21.3457	¥213.46
	¥19.3569	¥1,935.69
	¥16.8709	¥8,435.45
	¥14.3962	¥14,396.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥14.3058	¥21,458.70
	¥13.7295	¥41,188.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

GAN3R2-100CBEAZ

制造商： Nexperia

说明： GaN 场效应晶体管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8

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