EPC GaN 场效应晶体管

结果: 56
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 通道模式 商标名
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,739库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 1,928库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1,831库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14,253库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
4,545预期 2026/12/10
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 8,718库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 9,095库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 6,768库存量
7,500预期 2026/12/11
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,917库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1,185库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,345库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,300库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
30,523在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
27,099在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
62,953在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
12,099预期 2026/10/9
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
23,892在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
1,130预期 2026/12/15
最低: 1
倍数: 1
: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

SMD/SMT BGA-75 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 4.9 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 8 nC, 11 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET