|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2065
- EPC
-
1:
¥38.2166
-
2,739库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2065
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
2,739库存量
|
|
|
¥38.2166
|
|
|
¥19.6055
|
|
|
¥17.7862
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥13.56
|
|
|
¥12.4074
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
- EPC2066
- EPC
-
1:
¥66.0033
-
1,928库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2066
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
|
|
1,928库存量
|
|
|
¥66.0033
|
|
|
¥44.748
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥25.8092
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-30
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
90 A
|
1.1 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
25 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
- EPC2067
- EPC
-
1:
¥50.5449
-
1,831库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2067
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
|
|
1,831库存量
|
|
|
¥50.5449
|
|
|
¥26.6341
|
|
|
¥24.3176
|
|
|
¥22.1706
|
|
|
¥18.8597
|
|
|
¥18.0348
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-14
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
69 A
|
1.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
17.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
- EPC2070
- EPC
-
1:
¥15.5488
-
14,253库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2070
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
|
|
14,253库存量
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
¥9.9214
|
|
|
¥6.6105
|
|
|
¥5.2206
|
|
|
¥4.2827
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.7686
|
|
|
¥3.8307
|
|
|
¥3.616
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
23 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
1.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
- EPC2071
- EPC
-
1:
¥69.4837
-
460库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2071
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
|
|
460库存量
|
|
|
¥69.4837
|
|
|
¥37.5499
|
|
|
¥34.4085
|
|
|
¥31.4366
|
|
|
¥27.2104
|
|
|
查看
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
64 A
|
2.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
18 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2103
- EPC
-
1:
¥95.2025
-
734库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2103
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
734库存量
|
|
|
¥95.2025
|
|
|
¥53.2682
|
|
|
¥51.2794
|
|
|
¥50.4545
|
|
|
¥41.8552
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
2-Channel
|
80 V
|
30 A
|
5.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
6.5 nC, 6.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2106
- EPC
-
1:
¥23.4927
-
4,545预期 2026/12/10
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2106
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
4,545预期 2026/12/10
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥8.4411
|
|
|
¥7.006
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.8535
|
|
|
¥6.4071
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
2 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
70 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
730 pC, 730 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204
- EPC
-
1:
¥28.5325
-
8,718库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
8,718库存量
|
|
|
¥28.5325
|
|
|
¥18.6111
|
|
|
¥12.9046
|
|
|
¥10.509
|
|
|
¥8.7688
|
|
|
查看
|
|
|
¥10.2604
|
|
|
¥8.3507
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2207
- EPC
-
1:
¥28.2839
-
9,095库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2207
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
9,095库存量
|
|
|
¥28.2839
|
|
|
¥14.2267
|
|
|
¥12.8255
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
查看
|
|
|
¥10.2604
|
|
|
¥8.2716
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
14 A
|
22 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
4.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2214
- EPC
-
1:
¥22.0802
-
6,768库存量
-
7,500预期 2026/12/11
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2214
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
6,768库存量
7,500预期 2026/12/11
|
|
|
¥22.0802
|
|
|
¥10.8367
|
|
|
¥9.7632
|
|
|
¥7.8083
|
|
|
¥6.5088
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.6388
|
|
|
¥5.8873
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
10 A
|
20 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2216
- EPC
-
1:
¥17.6958
-
4,917库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2216
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
4,917库存量
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥8.5993
|
|
|
¥7.6388
|
|
|
¥6.0681
|
|
|
¥5.0059
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.8082
|
|
|
¥4.4861
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
26 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
0.87 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8004
- EPC
-
1:
¥39.9568
-
1,185库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8004
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
1,185库存量
|
|
|
¥39.9568
|
|
|
¥20.679
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥12.9046
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
4 A
|
110 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
370 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8009
- EPC
-
1:
¥40.7817
-
2,345库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8009
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
2,345库存量
|
|
|
¥40.7817
|
|
|
¥21.0067
|
|
|
¥19.1083
|
|
|
¥16.6223
|
|
|
¥13.4809
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
4 A
|
130 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
370 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8010
- EPC
-
1:
¥28.2839
-
2,300库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8010
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
2,300库存量
|
|
|
¥28.2839
|
|
|
¥14.4753
|
|
|
¥12.7351
|
|
|
¥10.509
|
|
|
¥8.8479
|
|
|
查看
|
|
|
¥10.0909
|
|
|
¥8.2716
|
|
|
¥8.1586
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
4 A
|
160 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
360 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
- EPC2012C
- EPC
-
1:
¥32.8378
-
30,523在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2012C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
|
|
30,523在途量
在途量:
13,023 预期 2026/9/18
17,500 预期 2026/12/15
|
|
|
¥32.8378
|
|
|
¥16.7127
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥12.4074
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥10.0909
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
5 A
|
100 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2037
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
27,099在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2037
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
27,099在途量
在途量:
12,099 预期 2026/8/17
15,000 预期 2026/8/21
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥11.1644
|
|
|
¥7.4806
|
|
|
¥5.9438
|
|
|
¥4.8929
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.4466
|
|
|
¥4.3957
|
|
|
¥4.2375
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
550 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
115 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2088
- EPC
-
1:
¥46.1605
-
12,000在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2088
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
12,000在途量
在途量:
3,000 预期 2026/11/13
9,000 预期 2026/12/24
|
|
|
¥46.1605
|
|
|
¥24.069
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2302
- EPC
-
1:
¥70.9753
-
62,953在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2302
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
62,953在途量
在途量:
11,953 预期 2026/11/6
21,000 预期 2027/1/13
30,000 预期 2027/1/25
|
|
|
¥70.9753
|
|
|
¥48.3075
|
|
|
¥35.4029
|
|
|
¥34.8266
|
|
|
¥31.9338
|
|
|
¥29.8659
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
133 A
|
1.8 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.1027
-
12,099预期 2026/10/9
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
12,099预期 2026/10/9
|
|
|
¥20.1027
|
|
|
¥9.8423
|
|
|
¥8.7688
|
|
|
¥6.9947
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.78
|
|
|
¥5.2432
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
50 V
|
9.6 A
|
8.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2203
- EPC
-
1:
¥13.0741
-
23,892在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2203
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
23,892在途量
在途量:
1,392 预期 2026/8/27
12,500 预期 2026/9/18
10,000 预期 2026/11/20
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥8.2264
|
|
|
¥5.4805
|
|
|
¥4.2827
|
|
|
¥3.4917
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.9098
|
|
|
¥3.1075
|
|
|
¥2.8702
|
|
|
¥2.8363
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
1.7 A
|
80 mOhms
|
- 4 V, 5.75 V
|
2.5 V
|
670 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
- EPC2206
- EPC
-
1:
¥46.9854
-
1,130预期 2026/12/15
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2206
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
|
|
1,130预期 2026/12/15
|
|
|
¥46.9854
|
|
|
¥31.2671
|
|
|
¥26.7132
|
|
|
¥26.3855
|
|
|
¥24.4871
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-30
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
90 A
|
2.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
- EPC2044
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2044
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1
|
100 V
|
9.4 A
|
10.5 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
4.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2031
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2031
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-24
|
N-Channel
|
1
|
60 V
|
48 A
|
2.6 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
16 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
- EPC2069
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2069
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-16
|
N-Channel
|
1
|
40 V
|
80 A
|
2.25 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2102
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2102
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-75
|
N-Channel
|
2 Channel
|
60 V
|
30 A
|
4.9 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
8 nC, 11 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|