绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
结果: 1,756
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
114库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3-32 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 100 A 240 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 26 A 59 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
数据表
595库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 78 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT30GP60BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247
数据表
191库存量
223预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 463 W - 55 C + 150 C Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO247 60A 650V
数据表
2,155库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 240

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65M3DFP/SOT429/TO247-3L
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 72 A 283 W - 40 C + 175 C

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si TO-247 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 80 A 535 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL2 Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-247
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 40 A 136 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268
数据表
29库存量
527预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 67 A 272 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247
数据表
70在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 54 A 347 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 52 A 297 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-247
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264MAX-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

Si T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 113 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
数据表
5库存量
220预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 94 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 124 A 379 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247
数据表
65库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel MOSFET
数据表
1,244库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 20 A 65 W - 55 C + 150 C STGB10NC60KDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
224库存量
3,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 25 A 80 W - 55 C + 150 C STGB14NC60KDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
数据表
386库存量
1,000预期 2026/8/24
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGB15H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
数据表
1,367库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 136 W - 55 C + 175 C STGB15M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel