Tray MOSFET模块

结果: 170
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 100 A 11.3 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 150 C 20 mW Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray


onsemi MOSFET模块 PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray
Wolfspeed MOSFET模块 1B 6pack 33.8mm
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1
否
SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 53 A 21 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V - 40 C + 150 C 10 mW WolfPACK Tray
onsemi NXH40B120MNQ0SNG
onsemi MOSFET模块 80KW GENII 1200V 80MOHM S
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC - 40 C + 150 C 118 W NXH40B120MNQ0 Tray


onsemi MOSFET模块 30KW Q1BOOST FULL SIC
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
数据表
58预期 2026/10/15
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit N-Channel 6 Channel 1.2 kV 25 A 38.8 mOhms - 10 V, 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C EasyPACK Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
数据表
36在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray


Infineon Technologies MOSFET模块 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
120在途量
最低： 1
倍数： 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
onsemi MOSFET模块 Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
数据表
20预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFET模块 Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
数据表
20预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi MOSFET模块 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
数据表
28预期 2026/10/13
最低： 1
倍数： 1
最大： 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi MOSFET模块 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
数据表
28预期 2027/2/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi MOSFET模块 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
数据表
28预期 2027/2/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi MOSFET模块 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
数据表
28预期 2027/2/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY PACK SIC
数据表
23在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 10 V, + 20 V - 40 C + 150 C CoolSiC Module Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
数据表
11,160工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
数据表
1,148工厂有库存
更多信息可用
最低： 28
倍数： 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
数据表
28工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
数据表
56工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 30 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 113 W NXH040P120MNF1 Tray