Tube 射频晶体管

晶体管射频类型
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
47库存量
500预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1
否
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube

Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
数据表
2,412在途量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors SOIC-14 Bipolar Si 8 GHz - 55 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
237预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 330 W + 150 C 28.2 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
69在途量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 30
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics 射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 300

RF Bipolar Transistors Si Tube
ZiLOG 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 350 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz 1 W - 40 C + 85 C Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz 1 W - 40 C + 85 C Tube