318 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 28库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V 42库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15.2 dB 7.3 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V 246库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 50 mA 68 V 1 MHz to 2 GHz 19 dB 4 W + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors MMRF1310HR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V 1库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 28 dB 300 W + 150 C SMD/SMT NI-780H-4 Reel, Cut Tape