LITTELFUSE 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
ZiLOG 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

N-Channel Si 18 A 600 V 530 mOhms 350 W - 55 C + 175 C Through Hole TO-247-3 Tube
IXYS 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 1000V 2A
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2 A 1 kV 7.8 Ohms - 55 C + 175 C SMD/SMT Tube