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库存量 RoHS

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M-20 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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结果: 4

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晶体管极性

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Vds-漏源极击穿电压

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最大工作温度

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零件编号

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208

VRF151G
Microchip Technology
1: ¥1,444.0609
无库存交货期 22 周

制造商零件编号
VRF151G

Mouser 零件编号
494-VRF151G

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208

数据表

无库存交货期 22 周

¥1,444.0609

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

Si

36 A

170 V

175 MHz

16 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOE-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208

VRF141G
Microchip Technology
1: ¥1,429.4161
无库存交货期 22 周

制造商零件编号
VRF141G

Mouser 零件编号
494-VRF141G

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208

数据表

无库存交货期 22 周

¥1,429.4161

最低： 1
倍数： 1

Si

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208

VRF152G
Microchip Technology
10: ¥1,444.14
无库存交货期 22 周

制造商零件编号
VRF152G

Mouser 零件编号
579-VRF152G

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208

数据表

无库存交货期 22 周

¥1,444.14

最低： 10
倍数： 1

Si

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 MATCHED PAIR

VRF152GMP
Microchip Technology
10: ¥2,945.8422
无库存交货期 22 周

制造商零件编号
VRF152GMP

Mouser 零件编号
579-VRF152GMP

Microchip Technology

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 MATCHED PAIR

数据表

无库存交货期 22 周

¥2,945.8422

最低： 10
倍数： 1

Si