VOGT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 28库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 3库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
100预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 135 V 1.8 MHz to 500 MHz 23.7 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
233预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

Si Tray