FDMC2523P

Name: onsemi FDMC2523P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC2523P
Price: 12.81 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMC2523P

制造商编号：

FDMC2523P

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET -150V P-Channel QFET

数据表:

FDMC2523P 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 12,191

库存：: 12,191 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 15 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.4753	¥14.48
	¥11.0853	¥110.85
	¥8.0795	¥807.95
	¥6.6331	¥3,316.55
	¥6.4636	¥6,463.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.4918	¥16,475.40
	¥5.3449	¥32,069.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-33-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	42 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	QFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	1.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
系列:	FDMC2523P
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	210 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDMC2523P 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

Fairchild 150V P沟道 PowerTrench® MOSFET 具有非常低的 R_DS(on)，而中压 P 沟道硅技术经过优化得到低 Qg，是负载开关应用的理想选择。该 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ®工艺制造，并针对低导通电阻进行了优化，同时保持了出色的开关性能。
了解更多

能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题，从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面：提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案，可满足各种大功率应用的苛刻要求，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

仙童中压 P 沟道 MOSFET

仙童中压 P 沟道 MOSFET 是 100V 和 150V P 沟道 MOSFET，具有业界同类最佳的 R_DS-ON 及 Q_g 。这些器件中每一个均采用仙童先进的 PowerTrench® 技术制成。这一超高密度工艺经过量身定制，专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而设计。典型应用包括电机驱动的高边开关、照明、直流-直流电中的有源钳位、以及负载开关等。
了解更多