CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压VGS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

结果: 42
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
数据表
187库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
376库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
数据表
833库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
数据表
578库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
数据表
492库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
数据表
431库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
1,988库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
649库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
482库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
405库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
570库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
数据表
666库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
数据表
682库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
数据表
404库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
210库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
230库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
188库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
161库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
237库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
数据表
198库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
数据表
664库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
数据表
706库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
数据表
683库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC