碳化硅MOSFET

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CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压_VGS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

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结果: 42

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安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

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零件编号

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥91.8125
959库存量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R034M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

了解更多的信息

数据表

959库存量

¥91.8125

¥71.8002

¥59.7996

¥53.3473

¥45.2452

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥85.8574
981库存量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R040M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

了解更多的信息

数据表

981库存量

¥85.8574

¥67.1672

¥56.0028

¥49.8782

¥44.4203

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥76.0151
858库存量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R053M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

了解更多的信息

数据表

858库存量

¥76.0151

¥56.5791

¥47.1436

¥42.0247

¥37.3917

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥66.0033
556库存量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R078M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R078M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

了解更多的信息

数据表

556库存量

¥66.0033

¥46.5673

¥38.7929

¥34.578

¥30.7699

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥265.437
1,054库存量

制造商零件编号
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,054库存量

剪切带

¥265.437

¥226.3955

¥198.0212

卷轴

¥198.0212

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥184.4612
1,189库存量

制造商零件编号
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,189库存量

剪切带

¥184.4612

¥150.9567

¥133.34

卷轴

¥133.34

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥141.0353
3,648库存量

制造商零件编号
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

3,648库存量

剪切带

¥141.0353

¥112.9096

¥97.6094

卷轴

¥97.6094

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥127.464
16库存量
1,680在途量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R022M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

了解更多的信息

数据表

16库存量

1,680在途量

¥127.464

¥98.6829

¥85.2811

¥85.202

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥123.0005
433库存量

制造商零件编号
IMBG120R022M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

433库存量

剪切带

¥123.0005

¥91.9029

¥79.4051

¥75.1902

卷轴

¥63.8563

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥101.6548
1,900库存量

制造商零件编号
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,900库存量

剪切带

¥101.6548

¥82.716

¥68.9074

¥61.4607

卷轴

¥52.1156

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥78.8288
475库存量

制造商零件编号
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

475库存量

剪切带

¥78.8288

¥59.7205

¥49.7991

¥44.3412

卷轴

¥39.5387

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥58.3984
1,651库存量

制造商零件编号
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,651库存量

剪切带

¥58.3984

¥42.6801

¥34.578

¥30.6908

卷轴

¥26.3064

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥50.2059
752库存量

制造商零件编号
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

752库存量

剪切带

¥50.2059

¥35.0752

¥28.3743

¥25.1425

卷轴

¥21.5943

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥42.4315
256库存量
1,000预期 2026/3/5

制造商零件编号
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

256库存量

1,000预期 2026/3/5

剪切带

¥42.4315

¥28.2048

¥21.4248

¥19.6055

卷轴

¥16.4641

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥38.7929
259库存量
5,000在途量

制造商零件编号
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

259库存量

5,000在途量

剪切带

¥38.7929

¥25.6397

¥19.2778

¥17.4585

卷轴

¥14.803

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥68.817
9库存量
2,000预期 2026/6/11

制造商零件编号
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

9库存量

2,000预期 2026/6/11

剪切带

¥68.817

¥48.2284

¥39.0415

¥36.5555

卷轴

¥31.7643

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥394.7994
750预期 2026/2/19
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R005M2HXU

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

750预期 2026/2/19

剪切带

¥394.7994

¥329.8696

¥320.4454

¥281.9011

卷轴

¥281.9011

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W