碳化硅MOSFET

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压_VGS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 45

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

零件编号

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥103.7227
138库存量
新产品

制造商零件编号
IMZA120R034M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R034M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

138库存量

¥103.7227

¥62.2856

最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥98.762
137库存量
240预期 2026/12/17
新产品

制造商零件编号
IMZA120R040M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R040M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

137库存量

240预期 2026/12/17

¥98.762

¥58.9747

¥50.2963

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥215.3893
730库存量

制造商零件编号
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

730库存量

剪切带

¥215.3893

¥156.166

¥148.6402

¥146.9904

卷轴

¥135.6565

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥133.8372
386库存量

制造商零件编号
IMBG120R022M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

386库存量

剪切带

¥133.8372

¥94.3776

¥80.8967

卷轴

¥75.5179

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥113.3164
1,683库存量

制造商零件编号
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,683库存量

剪切带

¥113.3164

¥80.23

卷轴

¥80.23

最低： 1
倍数： 1
最大： 60

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥89.5864
316库存量

制造商零件编号
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

316库存量

剪切带

¥89.5864

¥61.7884

¥47.9798

卷轴

¥44.8271

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥65.0202
1,211库存量

制造商零件编号
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,211库存量

剪切带

¥65.0202

¥44.0926

¥32.1711

¥31.4366

卷轴

¥29.3687

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥55.9124
673库存量

制造商零件编号
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

673库存量

剪切带

¥55.9124

¥36.1487

¥27.2104

¥25.7301

卷轴

¥24.069

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥47.8103
1,817库存量

制造商零件编号
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,817库存量

剪切带

¥47.8103

¥30.5213

¥22.826

¥20.8485

卷轴

¥19.5264

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥43.1773
6,789库存量

制造商零件编号
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

6,789库存量

剪切带

¥43.1773

¥28.702

¥20.4304

¥18.193

卷轴

¥18.1139

¥16.9613

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥98.3439
23库存量
1,500预期 2026/10/22
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R034M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R034M2HXT

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

23库存量

1,500预期 2026/10/22

剪切带

¥98.3439

¥68.0712

¥52.6919

¥51.528

卷轴

¥49.9573

最低： 1
倍数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥603.6573
2,030在途量
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R004M2HXUMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R004M2HXU

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

2,030在途量

剪切带

¥603.6573

¥524.4217

¥463.2887

¥432.5188

卷轴

¥432.5188

最低： 1
倍数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥472.3965
742预期 2026/7/2
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R005M2HXU

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

了解更多的信息

数据表

742预期 2026/7/2

剪切带

¥472.3965

¥402.9128

¥332.3556

卷轴

¥332.3556

最低： 1
倍数： 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥248.6452
1,731在途量
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R010M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R010M2HXT

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

了解更多的信息

数据表

1,731在途量

剪切带

¥248.6452

¥181.7266

¥176.0992

¥165.5111

卷轴

¥165.5111

最低： 1
倍数： 1

: 750

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥166.3473
1,500在途量
新产品

制造商零件编号
IMCQ120R017M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMCQ120R017M2HXT

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

了解更多的信息

数据表

1,500在途量

剪切带

¥166.3473

¥124.2435

¥107.4517

¥101.7452

卷轴

¥95.6206

最低： 1
倍数： 1

: 750

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥72.9528
1,968在途量

制造商零件编号
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 零件编号
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

了解更多的信息

数据表

1,968在途量

剪切带

¥72.9528

¥50.2963

¥37.7194

卷轴

¥35.2334

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥84.0381
480预期 2026/6/11
新产品

制造商零件编号
IMZA120R053M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R053M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

480预期 2026/6/11

¥84.0381

¥58.3193

¥47.9798

¥40.6913

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥98.762
1,992在途量
新产品

制造商零件编号
IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R040M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

了解更多的信息

数据表

1,992在途量

¥98.762

¥58.9747

¥50.2963

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥74.6139
480预期 2027/3/4
新产品

制造商零件编号
IMZC120R078M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZC120R078M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

了解更多的信息

数据表

480预期 2027/3/4

¥74.6139

¥43.5954

¥36.725

¥34.8266

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥77.6649
240预期 2026/8/13
新产品

制造商零件编号
IMZA120R078M2HXKSA1

Mouser 零件编号
726-IMZA120R078M2HXK

新产品

Infineon Technologies

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

了解更多的信息

数据表

240预期 2026/8/13

¥77.6649

¥54.6807

¥44.2508

¥34.8266

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W