Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美(onsemi)Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
onsemi MOSFET T6 40V DPAK EXP 5,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK 2,488库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK 4,946库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK 3,133库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 2,083库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 2,784库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 5,891库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 3,136库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO 1,151库存量
1,500预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V HEFET 3,038库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V HEFET 1,247库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 3,505库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 1,529库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 2,180库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 3,320库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET 7,500库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 6,178库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL 13,982库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL 6,281库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V HEFET 1,158库存量
3,000预期 2026/3/2
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 10,332库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN 3,256库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 1,995库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

onsemi MOSFET T6 60V SO8FL 1,145库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET 2,713库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500