UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列,具有业界最佳的性能品质因数,可在更高速度下降低导通损耗并提高效率,从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选,基于独特的共源共栅配置,其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装,形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件,在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。

结果: 29
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
577预期 2026/2/9
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-4 无库存交货期 31 周
最低: 600
倍数: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UJ4SC075010L8S 无库存

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET