GaN 场效应晶体管

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可在高达650V的电压范围内进行功率转换。英飞凌的GaN技术通过端到端的大规模量产，使E模式（增强模式）概念走向成熟。这种开创性的质量确保了最高标准，并提供了最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管具有超快开关速度，可提高系统效率和功率密度。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

零件编号

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥32.2615
4,511库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R140D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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数据表

4,511库存量

剪切带

¥32.2615

¥21.1762

¥14.803

¥12.1588

¥11.6616

卷轴

¥9.8423

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥23.7413
4,825库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R200D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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数据表

4,825库存量

剪切带

¥23.7413

¥15.3906

¥10.5881

¥8.5202

卷轴

¥6.6557

查看

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥20.679
4,720库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R270D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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数据表

4,720库存量

剪切带

¥20.679

¥13.3227

¥9.0965

¥7.2433

卷轴

¥5.6274

查看

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥70.8849
1,173库存量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R045D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R045D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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数据表

1,173库存量

剪切带

¥70.8849

¥48.2284

¥35.4029

¥34.8266

¥28.4534

卷轴

¥28.3743

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥39.0415
1,495库存量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R110D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R110D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

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数据表

1,495库存量

剪切带

¥39.0415

¥25.8092

¥18.2834

¥15.7183

卷轴

¥12.7351

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥110.9999
878库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R025D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R025D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

878库存量

剪切带

¥110.9999

¥82.1397

¥68.4893

¥59.3928

卷轴

¥49.7991

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥91.2362
482库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R035D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R035D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

482库存量

剪切带

¥91.2362

¥62.9523

¥48.477

¥39.6178

卷轴

¥39.5387

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥73.0432
1,268库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R045D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R045D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

1,268库存量

剪切带

¥73.0432

¥49.3019

¥36.6459

¥35.6515

卷轴

¥31.5157

¥29.5269

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥60.9635
613库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R055D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R055D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

613库存量

剪切带

¥60.9635

¥41.1885

¥29.945

¥24.069

卷轴

¥23.2441

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥60.4663
5库存量
3,600预期 2026/12/16
新产品

制造商零件编号
IGLT65R055D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R055D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

5库存量

3,600预期 2026/12/16

剪切带

¥60.4663

¥39.8664

¥30.2727

¥27.9562

¥23.8995

卷轴

¥23.8995

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥105.542
9,090在途量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R025D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R025D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

9,090在途量

剪切带

¥105.542

¥73.3709

¥58.7261

¥47.9798

卷轴

¥47.8894

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥88.5016
3,537在途量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R035D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R035D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

3,537在途量

剪切带

¥88.5016

¥60.9635

¥46.6464

¥38.1375

卷轴

¥38.0471

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

昴氏(上海)电子贸易有限公司

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