CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN ™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可用于电压高达650V的功率转换。 英飞凌GaN技术运用端对端的大批量生产，使E模式概念臻至成熟。这种前所未有的质量确保了最高标准并提供最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管通过超快开关速度，提高了系统效率和功率密度。

结果: 12
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
4,684库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
4,892库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
4,928库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
302库存量
1,800预期 2026/3/19
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
1,465库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
1,242库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
1,674库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
415库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
761库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
1,388库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
730库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
数据表
3,635在途量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement