GaN 场效应晶体管

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可在高达650V的电压范围内进行功率转换。英飞凌的GaN技术通过端到端的大规模量产，使E模式（增强模式）概念走向成熟。这种开创性的质量确保了最高标准，并提供了最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管具有超快开关速度，可提高系统效率和功率密度。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 12

已应用过滤器:

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Qg-栅极电荷

最小工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

零件编号

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥102.4006
4,262库存量
1,800预期 2026/7/16
新产品

制造商零件编号
IGLT65R025D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R025D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

4,262库存量

1,800预期 2026/7/16

剪切带

¥102.4006

¥73.3709

¥58.7261

¥47.9798

卷轴

¥47.8894

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥32.2615
4,514库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R140D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

4,514库存量

剪切带

¥32.2615

¥21.1762

¥14.803

¥12.4074

¥12.0797

卷轴

¥9.8423

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥21.8316
4,860库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R200D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

4,860库存量

剪切带

¥21.8316

¥13.56

¥9.7632

¥8.1586

卷轴

¥6.7461

查看

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: ¥20.5999
4,886库存量
新产品

制造商零件编号
IGLR65R270D2XUMA1

Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

4,886库存量

剪切带

¥20.5999

¥12.4865

¥8.8479

¥7.2433

卷轴

¥5.6274

查看

最低： 1
倍数： 1

: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥71.7098
1,338库存量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R045D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R045D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

1,338库存量

剪切带

¥71.7098

¥45.991

¥36.3069

¥34.8266

¥34.239

卷轴

¥28.3743

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥54.0931
521库存量
1,800预期 2026/7/16
新产品

制造商零件编号
IGLT65R055D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R055D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

521库存量

1,800预期 2026/7/16

剪切带

¥54.0931

¥36.2278

¥28.3743

¥26.1369

查看

卷轴

¥22.3288

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥35.821
1,621库存量
新产品

制造商零件编号
IGLT65R110D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R110D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

1,621库存量

剪切带

¥35.821

¥23.0746

¥17.5376

¥15.4697

卷轴

¥13.3227

查看

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥106.4573
986库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R025D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R025D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

986库存量

剪切带

¥106.4573

¥79.4051

¥62.2856

¥61.0426

卷轴

¥51.6975

报价

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥90.4113
486库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R035D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R035D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

486库存量

剪切带

¥90.4113

¥62.9523

¥48.477

¥39.6178

卷轴

¥39.5387

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥73.0432
1,378库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R045D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R045D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

1,378库存量

剪切带

¥73.0432

¥48.9629

¥36.6459

¥35.6515

卷轴

¥31.5157

¥29.5269

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: ¥60.9635
623库存量
新产品

制造商零件编号
IGOT65R055D2AUMA1

Mouser 零件编号
726-IGOT65R055D2AUMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

623库存量

剪切带

¥60.9635

¥39.3692

¥29.945

¥24.069

卷轴

¥23.2441

最低： 1
倍数： 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: ¥87.8462
1,788预期 2026/7/2
新产品

制造商零件编号
IGLT65R035D2ATMA1

Mouser 零件编号
726-IGLT65R035D2ATMA

新产品

Infineon Technologies

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

了解更多的信息

数据表

1,788预期 2026/7/2

剪切带

¥87.8462

¥60.8844

¥46.6464

¥38.1375

卷轴

¥38.0471

最低： 1
倍数： 1

: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持