分离式半导体类型
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STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
09/26/2025
该器件为电动汽车OBC（车载充电器）的DC/DC转换器级提供带有NTC的六块拓扑结构 。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
09/26/2025
该电源模块为混合动力与电动汽车的OBC提供带有集成NTC的三相四线PFC拓扑结构。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
01/10/2025
专为保护恶劣环境下的敏感电子设备而设计的TVS。
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
01/01/2025
适用于需要高抗扰度和低栅极电流的工业应用。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
10/14/2024
该器件设计用于保护数据线或其他I/O端口免受静电放电瞬变的影响。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
10/08/2024
适合用于集成到车辆或充电站中的充电器应用。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
09/10/2024
汽车用单向瞬态电压抑制器 (TVS)，设计用于恶劣环境。
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
08/09/2024
高品质设计，具有始终如一的可重现特性和内在坚固性。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STPSTxH100/Y trench功率肖特基二极管
STMicroelectronics STPSTxH100/Y trench功率肖特基二极管
06/29/2023
符合高开关频率的高效要求。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
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    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    05/12/2026
    为数据端口提供保护，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准。
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    05/04/2026
    轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04/24/2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    04/24/2026
    额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    04/24/2026
    电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    Vishay RS07x快速恢复型整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    04/02/2026
    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
    03/27/2026
    该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers
    03/24/2026
    Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.
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