RF晶体管

结果: 918
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
MACOM MRF1150MB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,50V,150pk 56库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Si
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,679库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,202库存量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 20库存量
最低: 10
倍数: 10
: 10
RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 16 dBm + 150 C 10 dB, 13 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SON-10 Si 900 MHz to 2.7 GHz 5 W + 225 C 19.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) 射频(RF)双极晶体管 NPN 20Vcbo 12Vceo 3Vebo 100mA 150mW 2,774库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 393库存量
1,090预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 118库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS 4库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si
Comchip Technology 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA 82库存量
18,000预期 2026/7/14
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23-3 Bipolar Power Si 300 MHz + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 110库存量
13,000预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 85库存量
200预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
250预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
onsemi 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G 5库存量
6,000预期 2026/11/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 700
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SC-70-3 Bipolar Si 1.5 GHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
150预期 2026/12/25
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
489在途量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
1,172在途量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FE/SOT539/TRAY
607在途量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT539AN-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 44.8 dBm + 200 C 31.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100G/TO270/REEL
1,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 1.5 GHz 100 W + 225 C 16 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
60预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT467C-3 GaN Si 0 Hz to 3.5 GHz 100 W + 300 C 15 dB Tray
Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
2,076预期 2027/2/5
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

RF Bipolar Transistors SOIC-Narrow-16 Bipolar Si 5.5 GHz, 8 GHz - 55 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
78,000预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343F-4 Bipolar Wideband SiGe 45 GHz + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
2,405预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
724在途量
最低: 1
倍数: 1
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube