RF晶体管

结果: 918
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
12,208在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PLD-1.5 Si 136 MHz to 941 MHz 7.3 W - 40 C + 150 C 15.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
1,513在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 10 MHz to 4 GHz 21.3 dBm - 40 C + 85 C 12 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
156预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 18 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
154在途量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
45预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz + 200 C Bulk

onsemi 射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor
77,950预期 2027/7/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-23-3 Bipolar Si 600 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.25 mm Pwr pHEMT
200预期 2026/7/20
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT
300预期 2026/7/10
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/20
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.20mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/10
最低: 100
倍数: 100

RF JFET Transistors pHEMT Tray
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.60mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/15
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
40预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
50预期 2026/10/13
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 211-07-3 Si 150 MHz 45 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
100预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFET Transistors GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 11 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150FE/SOT467C/TRAY
120预期 2026/11/20
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT467C-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
200预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 45.4 dBm + 150 C 28.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
500预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 2 GHz 100 W + 225 C 19 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
200在途量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 2 GHz 30 W + 225 C 22 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL
300预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 2 GHz 100 W + 225 C 19.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
18预期 2026/8/27
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 3.1 GHz to 3.5 GHz 115 W + 225 C 14 dB Tray
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT TSLP Bipolar Si 22 GHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
12,205预期 2026/12/10
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT TSLP-3 Bipolar SiGe 12 GHz Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
48,163预期 2027/2/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343-4 Si AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
45,000预期 2027/2/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-323-3 Bipolar Wideband Si 10 GHz 7 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-323-3 Bipolar Wideband Si 11 GHz 13.5 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel