射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 679
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 734 MHz to 821 MHz 18.2 dB 550 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 859 MHz to 960 MHz 17.5 dB 480 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

N-Channel Si 600 mA 105 V 70 mOhms 920 MHz to 960 MHz 19 dB 630 W Screw Mount HB2SOF-6-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 746 MHz to 821 MHz 22.5 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 120 mOhms 755 MHz to 805 MHz 23.6 dB 370 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-2 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 869 MHz to 960 MHz 22 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Dual N-Channel Si 105 V 2.8 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 19.5 dB 25 W + 225 C SMD/SMT SON-16 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel