射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 679
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 64 mA 105 V 728 MHz to 960 MHz 19.1 dB 2 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PQFN-24 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 40 V 520 MHz 13 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 110 V 1.215 MHz to 960 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si 10 mA 65 V 80 mOhms 2.515 GHz to 2.675 GHz 13.5 dB 240 W + 225 C Screw Mount Bulk
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 无库存交货期 24 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 无库存交货期 24 周
最低: 30
倍数: 1

Si Tube
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 25
倍数: 1

N-Channel Si 22 A 500 V 300 mOhms 45 MHz 15 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 25
倍数: 1

Si Tube
Microchip Technology VRF141G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF141MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF152MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF154FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 MATCHED PAIR 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 MATCHED PAIR 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 无库存交货期 30 周
最低: 12
倍数: 1

Si