射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
MACOM DU2840S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 40
倍数: 20

Si
MACOM DU2880T
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM DU2880U
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20
Si
MACOM LF2805A
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM MRF136Y
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1

Si
MACOM MRF154
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 17 dB 600 W - 65 C + 150 C 368-3
MACOM MRF157MP
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair 无库存交货期 28 周
最低: 5
倍数: 1
Si
MACOM MRF175GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10

Si Reel, Cut Tape
MACOM MRF176GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V 无库存交货期 28 周
最低: 10
倍数: 10

Si
MACOM MRF176GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V 无库存交货期 28 周
最低: 10
倍数: 10

Si
MACOM UF2805B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM UF28100M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz 无库存交货期 26 周
最低: 10
倍数: 10

Si
MACOM UF2815B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM UF2820P
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000
卷轴: 1,000
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低: 250
倍数: 250
卷轴: 250
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低: 50
倍数: 50
卷轴: 50
Si Reel
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel Si 28 V 945 MHz 16 dB 200 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存
最低: 100
倍数: 100
卷轴: 100

N-Channel Si 28 V 500 MHz 17 dB 380 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
MACOM MRF175LU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB 无库存交货期 28 周

N-Channel Si 13 A 65 V 400 MHz 10 dB 100 W - 65 C + 150 C 333-4 Bulk
ZiLOG 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 无库存
最低: 30
倍数: 30

N-Channel Si 18 A 600 V 530 mOhms 350 W - 55 C + 175 C Through Hole TO-247-3 Tube
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz N/A
最低: 1
倍数: 1

Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 无库存交货期 23 周
最低: 400
倍数: 400

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel