射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF154FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

Si
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 无库存交货期 30 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 10

N-Channel Si 20 A 180 V 150 MHz 24 dB 200 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 无库存交货期 30 周
最低: 10
倍数: 10

Si
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 无库存
最低: 180
倍数: 180
卷轴: 180

Si Reel
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 28 周
最低: 80
倍数: 80

Si Bulk
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4 无库存交货期 26 周
最低: 10
倍数: 10

Si Bulk
Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF152GMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V 无库存交货期 99 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500

N-Channel Si 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.1 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount TO-270WBG-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor 无库存交货期 16 周
最低: 50
倍数: 50
卷轴: 50

N-Channel Si 17 A 115 V 470 MHz to 860 MHz 21 dB 140 W - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4 Reel
MACOM DU1215S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz 无库存交货期 22 周
最低: 40
倍数: 20

Si
MACOM DU2805S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1

Si
MACOM DU28200M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 10
倍数: 10

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount