|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.5095
-
1库存量
-
12,500预期 2026/10/9
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
1库存量
12,500预期 2026/10/9
|
|
|
¥20.5095
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥9.0174
|
|
|
¥7.4354
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5879
|
|
|
¥5.2432
|
|
|
¥5.1754
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
50 V
|
9.6 A
|
8.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
1,901库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
1,901库存量
|
|
|
¥34.578
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥11.0853
|
|
|
¥10.8367
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
46 A
|
5.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
7.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
800库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
800库存量
|
|
|
¥80.4786
|
|
|
¥55.1666
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
¥33.5836
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
126 A
|
2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
- EPC2304
- EPC
-
1:
¥74.8625
-
10,940库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2304
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
|
|
10,940库存量
|
|
|
¥74.8625
|
|
|
¥51.0308
|
|
|
¥37.6403
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥30.4422
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
FCQFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
133 A
|
5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
21 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
12,480库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2306
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
12,480库存量
|
|
|
¥45.0757
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥15.4697
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
63 A
|
3.1 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
12.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
¥75.3597
-
6,127库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2361
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
6,127库存量
|
|
|
¥75.3597
|
|
|
¥51.4489
|
|
|
¥37.968
|
|
|
¥37.7194
|
|
|
¥33.0073
|
|
|
¥30.7699
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
133 A
|
1 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
28 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2619
- EPC
-
1:
¥40.5331
-
13,123库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2619
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
13,123库存量
|
|
|
¥40.5331
|
|
|
¥26.8036
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥16.4641
|
|
|
¥13.4018
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
3.3 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥60.9635
-
184库存量
-
15,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
184库存量
15,000在途量
在途量:
3,000 预期 2026/10/29
6,000 预期 2026/11/18
6,000 预期 2026/12/4
|
|
|
¥60.9635
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥28.5325
|
|
|
¥24.8939
|
|
|
¥23.2441
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
101 A
|
1.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
17 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
¥32.6683
-
966库存量
-
2,500预期 2026/11/3
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
966库存量
2,500预期 2026/11/3
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥14.9725
|
|
|
¥12.3283
|
|
|
¥10.3395
|
|
|
¥10.0118
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
6 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
¥22.826
-
11,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2252
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
11,500库存量
|
|
|
¥22.826
|
|
|
¥14.7239
|
|
|
¥10.17
|
|
|
¥8.3507
|
|
|
¥7.3337
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.7518
|
|
|
¥6.6218
|
|
|
¥6.441
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
8.2 A
|
11 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2307
- EPC
-
1:
¥45.0757
-
2,997库存量
-
15,000预期 2026/7/17
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2307
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
2,997库存量
15,000预期 2026/7/17
|
|
|
¥45.0757
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.4697
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
63 A
|
10 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
10.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
¥39.1206
-
12,190库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2059
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
12,190库存量
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥25.8092
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥12.8255
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
170 V
|
24 A
|
9 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
- EPC2206
- EPC
-
1:
¥46.9854
-
4,434库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2206
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
|
|
4,434库存量
|
|
|
¥46.9854
|
|
|
¥31.2671
|
|
|
¥26.7132
|
|
|
¥26.3855
|
|
|
¥24.4871
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-30
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
90 A
|
2.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
¥52.4433
-
10,833库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2215
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
10,833库存量
|
|
|
¥52.4433
|
|
|
¥35.1543
|
|
|
¥29.2783
|
|
|
¥26.8036
|
|
|
¥26.8036
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
32 A
|
8 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
13.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2218A
- EPC
-
1:
¥55.0084
-
326库存量
-
5,000预期 2026/9/25
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2218A
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
326库存量
5,000预期 2026/9/25
|
|
|
¥55.0084
|
|
|
¥36.9736
|
|
|
¥26.7132
|
|
|
¥24.8148
|
|
|
¥20.8485
|
|
|
¥20.2609
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
10.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
- EPC2012C
- EPC
-
1:
¥32.8378
-
7,909库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2012C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
|
|
7,909库存量
|
|
|
¥32.8378
|
|
|
¥21.5943
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥12.4074
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥10.0909
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
5 A
|
100 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
- EPC2014C
- EPC
-
1:
¥19.5264
-
15,326库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2014C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
|
|
15,326库存量
|
|
|
¥19.5264
|
|
|
¥12.4865
|
|
|
¥8.5202
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¥6.7687
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¥5.6048
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查看
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¥6.215
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¥5.0511
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¥4.9607
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|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
10 A
|
16 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2035
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
7,143库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2035
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
7,143库存量
|
|
|
¥17.3681
|
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¥11.1644
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¥7.4806
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¥5.9438
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¥4.8929
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查看
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¥5.4466
|
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¥4.3957
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¥4.2375
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.7 A
|
45 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
880 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2036
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
11,638库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2036
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
11,638库存量
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥11.1644
|
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|
¥7.4806
|
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¥5.9438
|
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¥4.8929
|
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|
查看
|
|
|
¥5.4466
|
|
|
¥4.3957
|
|
|
¥4.2375
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
73 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
700 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2038
- EPC
-
1:
¥17.3681
-
11,227库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2038
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
11,227库存量
|
|
|
¥17.3681
|
|
|
¥11.1644
|
|
|
¥7.4806
|
|
|
¥5.9438
|
|
|
¥4.9155
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.4466
|
|
|
¥4.8364
|
|
|
¥4.5313
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
500 mA
|
3.3 Ohms
|
6 V
|
2.5 V
|
44 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2040
- EPC
-
1:
¥15.5488
-
12,798库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2040
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
12,798库存量
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
¥9.9214
|
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¥6.6105
|
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|
¥5.2206
|
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|
¥4.2827
|
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|
查看
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|
|
¥4.7686
|
|
|
¥3.8307
|
|
|
¥3.616
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
30 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
745 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
- EPC2050
- EPC
-
1:
¥59.551
-
1,972库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2050
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
|
|
1,972库存量
|
|
|
¥59.551
|
|
|
¥40.2054
|
|
|
¥29.1992
|
|
|
¥27.6285
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥22.4983
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-12
|
N-Channel
|
1 Channel
|
350 V
|
6.3 A
|
80 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
- EPC2051
- EPC
-
1:
¥16.4641
-
4,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2051
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
|
|
4,500库存量
|
|
|
¥16.4641
|
|
|
¥10.509
|
|
|
¥7.0512
|
|
|
¥5.5822
|
|
|
¥4.5878
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.1076
|
|
|
¥4.1245
|
|
|
¥3.9324
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
25 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
- EPC2052
- EPC
-
1:
¥20.3513
-
12,103库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2052
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
|
|
12,103库存量
|
|
|
¥20.3513
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥8.9383
|
|
|
¥7.119
|
|
|
¥5.9099
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5427
|
|
|
¥5.3336
|
|
|
¥5.2658
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
8.2 A
|
13.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2055
- EPC
-
1:
¥28.8715
-
6,872库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2055
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
6,872库存量
|
|
|
¥28.8715
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.9383
|
|
|
查看
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥8.4411
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
29 A
|
3.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|