能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题,从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面:提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案,可满足各种大功率应用的苛刻要求,包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

结果: 15
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET 68,931库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 150 V 16 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Power Clip Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM 1,299库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm 4,573库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET 3,823库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DualCool-56-8 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm 1,956库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 150 V 99 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 77 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 450库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM 2,279库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET 6,990库存量
6,000预期 2026/4/7
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DualCool-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 14.5 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm 1,082库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET 1,207库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET 12,191库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO 1,837库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DualCool-88-8 N-Channel 1 Channel 100 V 162 A 5.39 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
2,851预期 2026/3/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 32.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
3,000预期 2026/3/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DualCool-88-8 N-Channel 1 Channel 120 V 129 A 4.14 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 76 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel