IXYS 碳化硅MOSFET

结果: 29
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
数据表
78库存量
800预期 2026/6/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
数据表
4,196库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS 碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
数据表
548库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
数据表
1,927库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
数据表
2,090库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC
数据表
431库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
数据表
900库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
数据表
900库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
数据表
402库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
数据表
478库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
数据表
483库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS 碳化硅MOSFET SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263
数据表
76库存量
800预期 2026/2/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
数据表
795库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
数据表
760库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
408库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
数据表
390在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
数据表
400在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO268 1.2KV 90A SIC POWER
数据表
无库存交货期 92 周
最低： 30
倍数： 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
更多信息可用

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement