Infineon Technologies 1200V公共发射器IGBT模块
英飞凌科技1200V公共发射器IGBT模块是TRENCHSTOP™ IGBT7产品组合的一部分，将600A或800A公共发射器与低饱和、快速沟槽IGBT模块与发射器控制二极管结合在一起。这些1200V公共发射器IGBT模块在现有封装中具有更高电流能力，从而以相同框架尺寸提高逆变器输出功率。英飞凌1200V公共发射器IGBT模块具有高功率密度、可靠性和灵活性，设计用于三级配置。
特性
- 最高功率密度
- 同类最佳的VCEsat
- Tvj op=+175°C过载
- 大爬电距离和电气间隙
- 隔离式基板
- 标准封装
- 符合RoHS指令
- 4kVAC绝缘，持续1分钟
- CTI >400封装
- 通过UL/CSA认证，符合UL1557 E83336标准
应用
- 中央逆变器解决方案
- 储能系统
- EV充电
- 通用电机驱动 - 变化频率/电压
- 不间断电源 (UPS)
相关产品
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7分立式器件和模块
具有较低的静态损耗和更软的开关，因此功率密度极高。
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7
广泛的1200V产品组合，适用于需要耐受短路/坚固性的工业应用。
典型应用
视频
发布日期: 2023-09-08
| 更新日期: 2023-09-15