Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

英飞凌科技TRENCHSTOP™ IGBT7 S7为需要耐受短路/坚固性的所有工业应用提供广泛的1200V产品组合。IGBT7 S7是一款高效、耐受短路的分立式IGBT,饱和电压至少比其他器件低 10%。

英飞凌TRENCHSTOP IGBT7 S7采用非常软的全额定EC7(发射器控制)二极管,可显著降低IGBT饱和VCEsat 和低Qrr 。IGBT7具有出色的可控性和短路耐受性。此外,该器件还具有出色的电气性能、更高的可控性、简单的EMI设计,以及在恶劣应用条件下可靠性更高。

特性

  • 短路耐受时间 (SCWT):8µs
  • 高功率密度
  • 全电流、软、低Qrr 二极管
  • 系统可靠性高
  • 出色的可控性
  • 改进的高压湿度耐受性(通过HV-H3TRB测试)
  • 更快、满额、共封装EC7二极管,与Rapid 1二极管相比,更高效、更软

应用

  • 电机驱动器
  • UPS/PV
  • 空调PFC

规范

  • 较高的击穿电压:1200V
  • 低IGBT饱和 (VCEsat) 和低二极管正向 (VF) 电压

特点与优势

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

IGBT7 比较表

图表 - Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

出色的选项,用于所有工业应用

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

视频

发布日期: 2023-02-08 | 更新日期: 2024-10-17