Infineon Technologies CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET
英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。
此外，CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET可以直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。
英飞凌CoolSiC 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
特性
- 革命性的半导体材料——碳化硅
- 优化用于反激式拓扑结构
- 12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器
- 非常低的切换损失
- 基准栅极阈值电压，VGS (th) =4.5V
- 完全可控制的dV/dt，用于EMI优化
- 降低系统复杂性
- 直接从反激式控制器驱动
- 提高效率和降低冷却工作量
- 实现更高频率
应用
- 能量发电、太阳能电池组列逆变器和太阳能优化器
- 基础设施－充电器
- 工业电源、UPS、SMPS
典型应用
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发布日期: 2020-04-15
| 更新日期: 2024-10-15