Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管,具有允许电流大、击穿电压高、开关频率高的特性。GaN Systems 创新采用了业界领先的突破性技术,例如获得专利的Island Technology® 单元布局,其实现了大电流裸片和高产出。这些700V CoolGaN功率晶体管可在电源开关中实现超高功率密度设计和高系统效率。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。这些功率晶体管具有非常低的结壳热阻,因此非常适合用于要求苛刻的大功率应用。其中一些应用包括数据中心和计算解决方案、电源适配器、LED照明驱动器、开关模式电源 (SMPS)、无线电源传输和电机驱动器。

特性

  • 700V E模式功率晶体管
  • 瞬态漏极-源极电压:850V
  • 底部冷却、8x8 mm PDFN封装
  • RDS(on) 范围:40mΩ至315mΩ
  • 超低FOM
  • 栅极驱动要求(0V至6V)
  • 高开关频率 (>1MHz)
  • 快速、可控的下降时间和上升时间
  • 反向导通能力
  • 零反向恢复损耗
  • 支持高工作频率
  • 可实现最高系统效率
  • 可实现超高功率密度设计
  • 支持节省BOM成本

应用

  • 电源适配器
  • LED照明驱动器
  • 电池充电快
  • 功率因数校正
  • 工业电源
  • 光伏
  • 电信基础设施用交流-直流电源转换
  • 数据中心和计算解决方案
  • 电器和工业电机驱动器
  • 无线功率传输

视频

发布日期: 2024-05-07 | 更新日期: 2025-04-18