Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管,具有允许电流大、击穿电压高、开关频率高的特性。GaN Systems 创新采用了业界领先的突破性技术,例如获得专利的Island Technology® 单元布局,其实现了大电流裸片和高产出。这些700V CoolGaN功率晶体管可在电源开关中实现超高功率密度设计和高系统效率。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。这些功率晶体管具有非常低的结壳热阻,因此非常适合用于要求苛刻的大功率应用。其中一些应用包括数据中心和计算解决方案、电源适配器、LED照明驱动器、开关模式电源 (SMPS)、无线电源传输和电机驱动器。特性
- 700V E模式功率晶体管
- 瞬态漏极-源极电压:850V
- 底部冷却、8x8 mm PDFN封装
- RDS(on) 范围:40mΩ至315mΩ
- 超低FOM
- 栅极驱动要求(0V至6V)
- 高开关频率 (>1MHz)
- 快速、可控的下降时间和上升时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 支持高工作频率
- 可实现最高系统效率
- 可实现超高功率密度设计
- 支持节省BOM成本
应用
- 电源适配器
- LED照明驱动器
- 电池充电快
- 功率因数校正
- 工业电源
- 光伏
- 电信基础设施用交流-直流电源转换
- 数据中心和计算解决方案
- 电器和工业电机驱动器
- 无线功率传输
视频
发布日期: 2024-05-07
| 更新日期: 2025-04-18
