Infineon Technologies CoolGaN™氮化镓HEMT
Infineon CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术，设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。
Infineon CoolGaN质量出众，非常适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolGaN支持针对PFC来调整更简单的半桥拓扑，包括消除有损输入桥式整流器。CoolGaN HEMT可为功率半导体器件提供更高的临界电场，从而实现出色的高速开关。
特性
- 600V功率器件的品质因数
- 非常适合用于硬开关和软开关拓扑
- 功率密度可提高三倍
- 经过优化的开启和关闭模式
- 面向创新解决方案和大容量的技术
- SMPS的超高效率
- 表面贴装封装可确保完全访问GaN的开关能力
- 各种驱动器IC产品组合，简单易用
应用
- 服务器
- 电信
- 无线充电
- 适配器和充电器
视频
FB推拉输出电路示意图
成功的四大支柱
资质认证示意图
SMPS示意图
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发布日期: 2018-10-26
| 更新日期: 2024-05-07