Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMT
英飞凌科技CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。这些GaN增强型功率晶体管采用ThinPAK 5x6 表面贴装封装，非常适合需要不带散热器的紧凑型设备应用。英飞凌CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2 的小尺寸和1mm的低高度，是实现高功率密度的理想之选。
特性
- 增强模式晶体管，常关型开关
- 采用小尺寸无引线SMD封装的GaN HEMT
- GaN定制认证
- 超快开关速度
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 出色的换向耐受性
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 支持更高工作频率
- 系统成本降低
- 降低EMI
- 符合JEDEC标准（JESD47和JESD22），适用于工业应用
- 无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
- 用于基于半桥拓扑的工业、电信和数据中心的SMPS（用于硬开关和软开关的半桥拓扑，例如图腾柱PFC、高频LLC）
- 低功耗SMPS
- 充电器和适配器
规范
- 连续漏源电压：600V（最大值）
- 漏源破坏性击穿电压：800V（最小值）
- 脉冲漏源电压
- 750V（最大值，25°C时）
- 650V（最大值，+125°C时）
- 脉冲开关浪涌电压：750V（最大值）
- 漏极-源极连续电流范围：8.2A至12.8A（最大值）
- 漏极-源极脉冲电流范围：12.2A至23A（最大值）
- 漏极-源极脉冲电流范围：5.9A至11A（最大值）
- 连续栅极电流范围：4mA至7.7mA（最大值）
- 脉冲栅极电流范围：406mA至770mA（最大值）
- 连续栅极-源极电压：-10V（最小值）
- 脉冲栅极-源极电压：-25V（最小值）
- 最大功耗范围：41.6W至55.5W
- 漏极-源极电压转换率：200V/ns（最大值）
- 工作温度范围：-40°C至+150°C
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| 更新日期: 2023-09-08