Infineon Technologies CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET

CoolSiC 750V G1 技术提供了非常高的稳健性，尤其是在抗宇宙射线辐射方面，使其非常适合总线电压>500V的应用。由于对误触发具有极强的免疫能力，因此这些器件可以在零伏V_GS断态电压（单极性栅极驱动器）下安全驱动，从而降低了系统复杂性、PCB面积占用和物料清单数量。宽的栅源电压额定值（-5V至23V，静态V _GS）确保了与双极性驱动的兼容性，从而提高了设计灵活性。

这款CoolSiC™ 车规级MOSFET 750V G1系列产品组合非常丰富，R_DS(on)（在+25°C时的典型值）从8mΩ到140mΩ不等，采用7引脚D2PAK和QDPAK顶部散热 (TSC) 封装。JEDEC发布的QDPAK TSC封装有助于充分利用PCB空间，将功率密度提高一倍，并通过基底热解耦增强热管理。顶部冷却封装显著降低了冷却基础设施的设计工作，是实现最高功率密度的关键。