Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的RDS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，为设计人员提供了灵活的方案，以优化导通和开关性能。
这些MOSFET采用坚固的车规级Q‑DPAK和PG‑TO263‑7封装，符合AEC-Q101标准，支持高达+175°C的工作环境。快速切换能力、低反向恢复和短路承受能力确保了在恶劣的汽车环境中具有高效率和可靠性。通过降低冷却要求并实现紧凑的系统设计，CoolSiC™ MOSFET帮助增加行驶范围，并为牵引和辅助系统的不同功率水平提供可扩展的解决方案。
特性
- 高度稳健的750V技术，100%经过雪崩测试
- 优异的RDS(on) x Qfr
- 出色的RDS(on) x Qoss和DS(on) x QG
- 低Crss/Ciss和高VGS(th)的独特结合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- TSC封装，采用I类材料
- 提供驱动源引脚
- 增强了500V以上总线电压的稳健性和可靠性
- 单N通道增强模式设备
- 在硬开关中具有出色的效率
- 软开关拓扑中的高切换频率
- 抗寄生导通能力强，适用于单极栅极驱动
- 出色的散热性能
- 通过改进栅极控制，降低开关损耗
- 符合AEC‑Q101标准
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 单向和双向车载充电器以及高压-低压直流-直流 转换器（硬开关半桥和软开关拓扑）
- 断路器（高压电池断开开关 、DC和AC低频开关以及高压电子保险丝）
- 辅助驱动器
规范
- 漏-源击穿电压：750V
- 漏-源导通电阻范围：9mΩ至78mΩ
- 栅极-源极阈值电压：5.6 V
- 栅极-源极电压：-7V/+23V
- 漏极连续电流范围：29A至198A
- 栅极电荷范围：20nC至169nC
- 耗散功率范围：116W至651W
- 最小正向跨导范围：8.3S至78S
- 典型接通延迟时间范围：7ns到17ns
- 上升时间范围：5 ns至18 ns
- 典型关闭延迟时间范围：15ns到39ns
- 下降时间范围：5 ns至10 ns
- Q‑DPAK或PG‑TO263‑7表面贴装封装
- 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
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发布日期: 2025-11-24
| 更新日期: 2025-12-19