Infineon Technologies EVAL_MTR_48V150A_GaN 评估板
英飞凌EVAL_MTR_48V150A_GaN评估板是一款高性能、低电压电机驱动平台，设计用于演示CoolGaN™ 80V G3晶体管在大电流应用中的功能。 该电路板专为系统应用工程师而开发，最高支持48V、150A的电机驱动开发，非常适合下一代无刷直流（BLDC）与永磁同步（PMSM）电机系统。英飞凌EVAL_MTR_48V150A_GaN集成八个并联的CoolGaN晶体管，采用半桥配置，能够在50kHz至100kHz的开关频率范围内实现高效运行（效率高达99%）。
与功率级协同工作的是两类英飞凌器件：一是专为快速精准GaN开关而优化的1EDN7116U TDI EiceDRIVER™栅极驱动器；二是三颗XENSIV™ TLE4972磁电流传感器，可在所有支持的开关频率下提供精准的相电流测量。该电路板支持14V至66V的电池输入电压范围，可产生0V至19.5V的交流输出电压，电流范围为110A至160A，从而能够在苛刻的负载条件下进行实际评估。总体而言，EVAL_MTR_48V150A_GaN为寻求紧凑、高效、基于GaN电机驱动解决方案的工程师提供了一个全面的参考设计。
特性
- IGC025S08S1 CoolGaN 80V晶体管，最大电阻为2.5mΩ，采用3mm×5mm PQFN封装
- 1EDN71x6U EiceDRIVER栅极驱动器，适用于GaN晶体管和MOSFET
- TLE4972 XENSIV磁电流传感器，适用于AC和DC电流
- 标称输入电压：48 V
- 在一块135mm×90mm、12层、70µm（2盎司）PCB上，实现高功率密度设计
- 陶瓷电容器直流链路，用于实现低等效串联电阻（ESR）和大电流纹波处理能力
- 优化型功率回路电感，支持纳秒级开关瞬态并实现最小过冲
- 集成3.3V与12V辅助电源
- 可选过流检测（OCD）阈值：492A或834A
- 套件内含散热器与安装硬件
应用
- 低压大电流电机驱动的开发
- 磁场定向控制（FOC）电机驱动系统
- 采用GaN技术的高效电机驱动
- 下一代电机设计的原型开发
- 大功率BLDC/PMSM电机系统的测试与评估
- 精密电流测量
- 电池供电电机系统
- GaN功率电子学研究与教育
规范
- 48V输入，支持14V至66V范围
- 输出范围：0VAC至19.5VAC
- 开关频率范围：50kHz至100kHz
- 电流范围：110 A至160 A
- 效率高达 99%
- 工作温度范围：0 °C至+85 °C
- 尺寸：135 mm x 90 mm x 18 mm
方框图
概述
机载组件
Infineon Technologies CoolGaN™ G3晶体管
设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。
Infineon Technologies TLE4972 XENSIV™磁性无芯电流传感器
集成了与测量电流成正比的传感器信号和2个过流检测引脚。
发布日期: 2026-01-15
| 更新日期: 2026-01-28