Infineon Technologies CoolGaN™ G3晶体管
英飞凌 CoolGaN™ G3晶体管设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。此系列晶体管的导通电阻极低，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。英飞凌CoolGaN G3晶体管提供四种电压选项（60V、80V、100V和120V），具备超快的开关速度和极低的栅极/输出电荷。此系列晶体管采用紧凑型PQFN封装，可增强热管理，支持双面冷却，即使在严苛条件下也能够确保可靠运行。这些特性使得CoolGaN G3晶体管成为电信、数据中心电源和工业电力系统等应用领域的理想选择。
特性
- 超快开关速度和高效率
- 节省空间且高度坚固的封装
- 无反向恢复电荷
- 超低栅极和输出电荷
- 裸露裸片，实现出色顶部散热性能
- 潮湿敏感度等级 (MSL) 1级
- 工业级3mm x 5mm PG‑TSON‑6封装
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 电池供电工具
- 电动出行和UAV
- 机器人和无人机
- 太阳能与储能系统
- 电信与数据中心
- 低功耗SMPS
- 交流-直流与直流-直流变换器的同步整流
规范
- 最大连续漏源电压：60V、80V、100V或120V
- 最大功率耗散：45W
- 最大脉冲栅源电压：±6.5V
- 栅源电压范围：-4.0V至5.5V
- 栅极阈值电压范围：1.2V至2.9V
- 典型栅极电阻：0.5Ω
- 最大漏源导通电阻范围：3.7mΩ至1.9mΩ
- 电容
- 最大输入范围：1100pF至1700pF
- 最大输出范围：550pF至770pF
- 最大反向传输范围：6.4pF至22pF
- 典型栅极电荷
- 栅源电荷范围：2.7nC至4.0nC
- 阈值范围内的栅极电荷：2.9nC至2.0nC
- 栅漏电荷范围：2.3nC至3.6nC
- 开关电荷范围：3.0nC至4.7nC
- 栅极电荷总范围：10nC至13nC
- 栅极平坦电压范围：2.7V至2.8V
- 输出电荷范围：37nC至49nC
- 反向操作
- 最大反向持续电流范围：15A至16A
- 最大反向脉冲电流范围：284A至396A
- 最大源漏电压：3.4V
- 典型反向恢复电荷：0nC
- -40 °C至+150 °C结温范围
- 热阻
- 结温-外壳顶部：0.6°C/W（最大值）
- 结温-外壳底部：2.8°C/W（最大值）
- 结温-环境1s0p：60°C/W（典型值）
- 结温-环境2s2p：38°C/W（典型值）
尺寸
相关晶体管
Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3晶体管
采用紧凑型外壳的常关、增强模式 (e-mode) 功率晶体管。
开发工具
Infineon Technologies EVAL_MTR_48V150A_GaN 评估板
设计用于演示CoolGaN™ 80V G3晶体管在大电流应用中的功能。
相关应用
Infineon Technologies 基于GaN的仿人机器人电机控制
专为实现最高性能、紧凑设计和卓越能效而设计。
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| IGC037S12S1XTMA1 |  |
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm |
| IGB070S10S1XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm |
| IGB110S10S1XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm |
| IGC019S06S1XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm |
| IGC025S08S1XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm |
| IGB110S101XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES |
| IGC033S101XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES |
| IGC033S10S1XTMA1 | |
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES |
发布日期: 2025-03-31
| 更新日期: 2026-01-15