Infineon Technologies 体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

CoolMOS™客户获益

• 性价比最高
• 市面上范围最大的SJ MOSFET产品组合
• 成熟、稳定、完善

CoolSiC™客户获益

• 高性能、稳健性和易用性
• 高可靠性，尤其是在高温和恶劣环境下
• 系统尺寸更小

CoolGaN™客户获益

• 在最高开关频率下实现最高效率
• 最小系统尺寸和最高功率密度
• 实现系统集成

英飞凌CoolMOS SJ MOSFET产品在传导、开关和驱动损耗方面具有出色的品质因数。CoolSiC和CoolGaN实现极其高效、紧凑的系统设计，可满足对更环保、更高性能产品的需求。此外，全面的栅极驱动器IC产品组合，优化用于硅和宽禁带技术，充分发挥了开关的潜力。在600和650电压等级电源产品中，英飞凌的CoolMOS、CoolSiC和CoolGaN共同根据具体应用提供独特的价值主张。

实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造工艺限制在高达100V至150V的范围内，具有相对较高的导通电阻和漏电流。相比之下，碳化硅肖特基二极管可实现更高的击穿电压。英飞凌提供600V、650V和1200V碳化硅基CoolSiC肖特基二极管。