Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT模块
英飞凌科技FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT模块是一个3.3kV、450A双绝缘栅极双极晶体管模块,具有TRENCHSTOP™ IGBT3和发射器控制二极管。高度集成的XHP IGBT模块专门设计用于大功率运行,涵盖IGBT芯片3.3kV至6.5kV的完整电压范围。 共享相同紧凑的140mm x 100mm x 40mm尺寸,这些IGBT模块可实现扩展设计,具有业内一流的可靠性和高功率密度。FF450R33T3E3B5 IGBT模块具有10.4kV的增强隔离度。
特性
- VCES = 3300V
- IC nom = 450A / ICRM = 900A
- VCEsat ,有正向温度系数
- AlSiC基板,提高热循环能力
- 隔离式基板
- 半桥配置,获得最佳性能
- 模块化方法和良好的可扩展性,具有高电流密度
- 主要和辅助终端最佳安排
- CTI >600封装
- 高直流稳定性
- 高短路能力
- 低开关损耗
- 低VCEsat
- 出色的稳定性
- Tvj op=150°C
- 140mm x 100mm x 40mm紧凑外形
应用
- 商业、建筑和农用 (CAV) 车辆
- 电压转换器
- 电机驱动器
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TrenchStop™ & Fieldstop technology provide superb switching performance, very low VCEsat, & low EMI.
发布日期: 2019-02-19
| 更新日期: 2022-03-11