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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 30V 功率MOSFET

英飞凌StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET针对高低开关频率进行了优化，从而实现设计灵活性。此系列器件具备高功率效率，可提高系统整体性能，同时兼具出色的耐用性。其电流额定值有所提高，可实现更高的载流能力，无需并联多个器件，从而降低物料清单成本并节省电路板空间。应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电设备、电池管理、不间断电源（UPS）、轻型电动汽车、电动工具、园艺工具、适配器和消费电子等领域。    

特性

  • 针对各种应用进行了优化
  • N沟道，逻辑电平
  • 高低开关频率应用的理想选择
  • 行业标准引脚布局通孔PG‑TO252‑3封装
  • 高额定电流
  • 100%通过雪崩测试
  • 额定工作温度：+175°C
  • 无铅电镀
  • 符合RoHS指令
  • 符合IEC61249-2-21标准，不含卤素

应用

  • UPS
  • 适配器
  • 电机驱动器
  • 电池管理
  • 轻型电动汽车
  • 电源管理 (SMPS)
  • 电池供电应用

规范

  • 漏极-源极击穿电压：30V
  • 20 V栅极-源极电压
  • 栅极-源极阈值电压：2.35 V
  • 连续漏极电流范围：71A至143A
  • 漏极-源极导通电阻范围：2.05mΩ至4.7mΩ
  • 下降时间范围：6.4 ns至11 ns
  • 上升时间范围：10 ns至24 ns
  • 典型导通延迟时间范围：11ns至20ns
  • 典型关断延迟时间范围：10ns至25ns
  • 最小正向跨导范围：45S至100S
  • 功率耗散范围：65W至136W
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C

资源

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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2功率MOSFET

N沟道、正常电平、100%经过雪崩测试的功率MOSFET。

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发布日期: 2024-11-05 | 更新日期: 2025-09-24