Infineon Technologies StrongIRFET™ 2功率MOSFET
英飞凌科技StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N沟道、正常电平、100%经过雪崩测试的MOSFET。英飞凌StrongIRFET 2 MOSFET优化用于各种应用。这些MOSFET具有80V至100V的VDS 范围和2.4mΩ至8.2mΩ的RDS(on) 范围。
特性
- 优化用于各种应用
- N沟道，正常电平
- 100%经雪崩测试
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS指令
- 无卤素，符合IEC61249-2-21标准
封装电路应用
封装类型
资源
Featured Products
Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 30V 功率MOSFET
针对低开关频率和高开关频率进行了优化，实现了设计灵活性。
发布日期: 2021-01-21
| 更新日期: 2025-09-24