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IXYS IXYx110N120A4 1200 V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT是优化实现了超低导通损耗VCE(sat) 的高增益IGBT，用于高达5kHz的开关频率。薄晶圆技术和改进的工艺实现了低栅极电荷QG，因此要求低栅极电流。高增益提高了浪涌电流能力，而VCE(sat) 的正向热系数简化了并联。Rth(j-c)的低热阻简化了与热相关的设计问题。

IXYS IXYx110N120A4 1200V IGBT采用TO-264、PLUS247和SOT-227B (miniBLOC) 封装。IXYx110N120A4非常适合用于浪涌电流保护电路、灯具镇流器、太阳能逆变器等应用。

特性

  • 优化实现了低导通损耗VCE(sat)
  • 高增益和浪涌电流能力
  • 低热阻Rth(j-c)
  • 正向热系数的VCE(sat)
  • 国际标准封装

应用

  • 太阳能逆变器
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 电焊机
  • 灯具镇流器
  • 浪涌电流保护电路

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物料编号 数据表 封装 / 箱体 安装风格 Pd-功率耗散
IXYK110N120A4 IXYK110N120A4 数据表 TO-264-3 Through Hole 1.36 kW
IXYX110N120A4 IXYX110N120A4 数据表 TO-247-3 Through Hole 1.36 kW
IXYN110N120A4 IXYN110N120A4 数据表 SOT-227B-4 Screw Mount 830 W
发布日期: 2020-12-31 | 更新日期: 2024-05-30