IXYS 沟槽型650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT
IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。
这些通孔IGBT还具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达1200 V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。超低Vsat IGBT提供高达5kHz开关。IXYS XPT第四代沟槽型IGBT包括一个正集电极-发射极电压温度系数。这使得设计人员能够并联使用多个器件，以满足大电流要求和低栅极电荷，从而有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。
典型应用包括电池充电器、灯具镇流器、电机驱动器、功率逆变器、功率因数校正(PFC)电路、开关模式电源(SMPS)、不间断电源 (UPS) 和焊接机。
特性
- 采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发
- 低导通电压-VCE(sat)
- 开关频率高达5 kHz
- 正热系数VCE(sat)
- 优化用于高速开关（高达60 kHz）
- 短路能力 (10µs)
- 方形RBSOA
- 超快反向并联二极管 (Sonic-FRD™)
- 硬开关功能
- 高功率密度
- 二极管正向电压VF 的温度稳定性
- 低栅极驱动要求
- 国际标准封装
应用
- 电池充电器
- 灯具镇流器
- 电机驱动器
- 逆变器
- PFC电路
- SMPS
- UPS
- 电焊机
规范
- 一般特性
- VCES ：1200V
- IC110 ：20A
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9VCE (sat)
- tfi：160ns（典型值）
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1VCE (sat)
- tfi：90ns（典型值）
- IXYA20N120C4HV
- VCE (sat) ：≤2.5V
- tfi：58ns（典型值）
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具有超低Vsat，设计用于高达5kHz的开关频率。
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| IXYP48N65A5 |  |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220 |
| IXYA48N65A5 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263 |
| IXYA55N65B5 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 |
| IXYH100N65C5 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD |
| IXYA50N65C5 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 |
| IXYH85N120A4 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 85A XPT |
| IXYK140N120A4 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 140A GENX4 |
| IXXX160N65B4 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| IXYT85N120A4HV | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 85A XPT |
| IXXH110N65C4 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
发布日期: 2020-02-26
| 更新日期: 2024-05-23