IXYS Q级HiPerFET™功率MOSFET
IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。它们具有低栅极电荷、出色的耐用性以及快速本征二极管。IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET采用诸多标准工业封装包括隔离型封装。
特性
- 国际标准封装
- 坚固的聚硅栅极单元结构
- 适合用于无钳位电感开关 (UIS)
- 快速内在整流器
应用
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
相关MOSFET
High-current HiPerFET™ power MOSFETs for hard switching & resonant mode applications.
发布日期: 2020-03-03
| 更新日期: 2024-05-28