IXYS 标准N沟道HiPerFET™功率MOSFET
IXYS标准N沟道HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。这些器件采用快速内在二极管，具有低栅极电荷和出色的耐用性。这些器件采用许多标准行业封装（包括隔离型）。
特性
- 国际标准封装
- 大电流处理能力
- 低RDS (on) HDMOS工艺
- 耐雪崩
- 低电感封装
- 快速内在二极管
- 该器件易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 交流电机驱动器
- 温度和照明控制
相关MOSFET
IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs
High-current HiPerFET™ power MOSFETs for hard switching & resonant mode applications.
发布日期: 2020-03-03
| 更新日期: 2025-08-26