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MACOM 氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。

特性

  • High efficiency
  • High gain
  • Wide bandwidth capabilities
  • High breakdown voltage
  • High saturated electron drift velocity
  • High thermal conductivity

应用

  • 2-Way private radio
  • Broadband amplifiers
  • Cellular infrastructure
  • Test instrumentation
  • Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
  • Satellite communications
  • PTP communications links
  • Marine radar
  • Pleasure craft radar
  • Port vessel traffic services
  • High-efficiency amplifiers

Comparison Chart

图表 - MACOM 氮化镓高电子迁晶体管

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发布日期: 2014-07-17 | 更新日期: 2025-08-26