氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
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结果: 33
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
数据表
产品评论
700库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
产品评论
10库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
数据表
产品评论
50库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
394库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
1,119库存量
480在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
数据表
3,326库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
388库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
数据表
183库存量
400预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
数据表
33库存量
100预期 2026/8/6
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
数据表
375库存量
250预期 2026/4/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
数据表
374库存量
250预期 2026/4/27
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
数据表
产品评论
20库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
5库存量
100预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 25
倍数： 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 250
倍数： 250
卷轴: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
数据表
产品评论
交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
数据表
产品评论
40库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
数据表
产品评论
30库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V