氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比,氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有出色的性能,包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
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结果: 32
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 最大工作频率 最小工作频率 技术
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 617库存量
剪切带
¥747.4272
¥622.856
¥597.6231
卷轴
¥597.6231
最低: 1
倍数: 1
: 250
SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 11库存量
¥20,624.3532
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 909库存量
¥934.962
¥783.5759
¥730.6015
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 2,702库存量
800在途量
剪切带
¥498.2848
¥432.8578
¥406.0542
¥382.392
卷轴
¥351.8707
最低: 1
倍数: 1
: 200
SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 1,341库存量
¥958.5903
¥797.3845
¥726.1719
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 700库存量
440预期 2027/3/1
¥2,013.5696
¥1,723.137
¥1,620.1262
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 261库存量
500预期 2026/12/7
¥3,108.1667
¥2,651.8501
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 86库存量
¥3,881.8325
¥3,308.4479
¥3,148.4625
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 276库存量
225预期 2027/2/19
¥4,614.5245
¥3,932.8181
¥3,742.7069
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 140库存量
¥1,309.896
¥1,028.0627
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 345库存量
800预期 2027/2/5
¥2,217.6702
¥1,872.6134
¥1,792.2817
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 67库存量
1,275在途量
¥4,320.3516
¥3,637.6169
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
370库存量
¥274.6239
¥257.1767
¥257.075
¥251.6058
最低: 10
倍数: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
40预期 2027/4/15
¥8,160.2498
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
100在途量
¥1,083.1276
最低: 10
倍数: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt 无库存交货期 26 周
¥4,874.8991
¥4,305.074
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
无库存交货期 26 周
¥789.9152
最低: 100
倍数: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 无库存交货期 26 周
¥6,060.6872
¥5,331.0462
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt 无库存交货期 26 周
¥11,577.3472
最低: 1
倍数: 1
Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
无库存交货期 26 周
¥545.4397
最低: 200
倍数: 10
SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt 无库存交货期 26 周
卷轴
¥1,195.427
最低: 250
倍数: 250
: 250
SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
无库存交货期 26 周
¥1,257.0007
最低: 50
倍数: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN