Infineon Technologies CoolGan™ 600V e-Mode功率晶体管
英飞凌CoolGan™ 600V增强模式 (e-Mode) 功率晶体管可实现更简单的半桥拓扑，具有快速导通和关断速度。此款稳健可靠的晶体管采用高性能SMD封装，可充分利用GaN的优势。 该晶体管具有高效率、高功率密度、更高的工作频率能力和更低的EMI。应用包括电信/数据通信/服务器SMPS、无线充电、充电器和适配器。
特性
- 增强模式晶体管，常关型开关
- 超快开关速度
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 出色的换向耐受性
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 支持更高工作频率
- 系统成本降低
- 降低EMI
- 采用以下封装
- DSO-20-85或DSO-20-87
- LSON-8-1
- 符合JEDEC标准（JESD47和JESD22），适用于工业应用
- 无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
- 工业
- 电信
- 基于半桥拓扑的数据中心SMPS
规范
- 连续漏源电压：600V（最大值）
- 漏源破坏性击穿电压：800V（最小值）
- 脉冲漏源电压
- 750V（最大值，25°C时）
- 650V（最大值，+125°C时）
- 脉冲开关浪涌电压：750V（最大值）
- 漏极-源极连续电流范围：14A至31A（最大值）
- 脉冲漏源电流
- 60A（最大值，+25°C时）
- 35A（最大值，+125°C时）
- 连续栅极电流：20mA（最大值）
- 脉冲栅极电流：2000mA（最大值）
- 连续栅极-源极电压：-10V（最小值）
- 脉冲栅极-源极电压：-25V（最小值）
- 最大功耗：114W或125W
- 漏极-源极电压转换率：200V/ns（最大值）
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
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发布日期: 2023-02-13
| 更新日期: 2023-09-08