CoolMOS™ 功率晶体管

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon Technologies 率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。 它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便,散热效果也更佳。
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Infineon Technologies 扩展了采用 CoolMOS™ 技术的 CoolMOS® 功率晶体管产品,该技术根据超结原理设计,适用于高压功率 MOSFET 。 这些CoolMOS®功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶体管尤其适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段。
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结果: 23
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,409库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 3,132库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 5,847库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 12,010库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 1,380库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,722库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 14库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 884库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,804库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,418库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 2,739库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 236库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 394库存量
2,160在途量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 793库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,451库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,795库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 377库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 765库存量
1,000预期 2026/6/17
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,080库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 386库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 277库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
500预期 2026/5/28
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube