Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET是一款N沟道、标准电平设备，具有优异的热阻性能。OptiMOS 7 80V功率MOSFET系列具有软恢复体二极管，额定温度高达175°C。英飞凌OptiMOS 7 80V功率MOSFET采用PG-TDSON-8封装，针对电机驱动与同步整流应用进行了优化设计。
特性
- N沟道，标准电平
- 针对电机驱动和同步整流应用进行了优化设计
- 软恢复体二极管
- 100% 经雪崩测试
- 出色的热阻
- 额定电压：175 °C
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
- MSL 1，符合JSTD020标准
- PG-TDSON-8封装
应用
- 电机驱动器
- 同步整流
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发布日期: 2026-02-23
| 更新日期: 2026-03-04