ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor 为无线、计算机、汽车和消费类电子产品市场设计和制造半导体、集成电路和其他电子组件。ROHM Semiconductor产品组合包括音频/视频IC、无线音频链路、图像传感器、噪声保护分立器件、采用双单元技术的存储器产品、节能电源管理组件和LED。
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ROHM Semiconductor LMRx802-LB 运算放大器运算放大器的特点是低噪声、低输入失调电压和低输入偏置电流。2025/11/24 -
ROHM Semiconductor RPR-0730光反射器模拟光学传感器,配有红外垂直腔面发射激光器 (IrVCSEL) 和光敏晶体管。2025/11/6 -
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM型DC/DC转换器IC具有集成的730V开关MOSFET,可直接由高压AC电源供电。2025/11/3 -
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET这款设备可提升开关频率,减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。2025/10/17 -
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFETAEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。2025/10/16 -
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM型DC/DC转换器IC专为紧凑高效型隔离式AC-DC电源应用而设计。2025/9/26 -
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 评估板用于评估和展示BM3G107MUV GaN HEMT功率级集成电路的能力。2025/8/27 -
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 评估板旨在评估和展示BM3G115MUV GaN HEMT功率级IC的能力。2025/8/27 -
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管汽车等级二极管采用超小型封装,适用于高频开关。2025/8/21 -
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管一款硅外延平面型超快恢复二极管,具有低VF 和低开关损耗特性。2025/8/21 -
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。2025/8/21 -
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装,具有低导通电阻,且100%经过Rg和UIS测试。2025/8/21 -
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFETN沟道功率MOSFET,采用大功率封装,具有低导通电阻特性。2025/8/21 -
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管采用超小型模塑封装,具有低电容,适用于高频开关应用。2025/8/20 -
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI总线EEPROM该设备为16Kbit串行EEPROM,带SPI总线接口,写入次数高达400万次。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管这些设备采用小功率模塑封装,适用于电压调节应用。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET一款车规级MOSFET,额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET该设备为车规级MOSFET,额定VDSS 为40V,额定ID为±40A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET车规级MOSFET,额定VDSS 为60V,额定ID 为±40A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET一款车规级MOSFET,额定VDSS 为-60V,额定ID 为±36A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET一款车规级MOSFET,其额定VDSS 为100V,额定ID 为±40A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET一款车规级MOSFET,额定VDSS 为40V,额定ID 为±12A,符合AEC-Q101认证要求。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V,额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。2025/8/19 -
ROHM Semiconductor LogiCoA003-EVK-001 评估板旨在评估和演示LogiCoA™ 解决方案的性能。2025/8/8 -
