Nexperia eMode GaN FET
Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。该款GaN FET（氮化镓场效应晶体管）具有极低的QC（栅极电荷）和QOSS（输出电荷），使其能够进行高速运转，进而实现出色的功率效率。
Nexperia低压 (<200V) eMode GaN FET赋予电源系统出色的灵活度。这些器件可实现电动交通和有线/无线充电系统的更快充电，显著节省LiDAR的空间和BOM，并降低D类音频放大器的噪声。
Nexperia高压 (200V-650V) eMode GaN FET 为电源系统提供了最佳灵活性，非常适合用于<1kW的中等功率应用。这些器件提高了650V AC/DC和DC/AC电源转换的效率。同时显著节省BLDC和微型伺服电机驱动器或LED驱动器的空间和BOM。
特性
- 增强模式-常关电源开关
- 超高频开关功能
- 无体二极管
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 高效率和高功率密度
- 符合标准应用的资格
- ESD保护
- 无铅，符合RoHS指令和REACH标准
应用
- 大功率、高密度和高效电源转换
- 交流至直流电转换器
- 快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和USB Type-C™充电器
- 数据通信和电信（交流至直流和直流至直流）转换器
- 电机驱动器
- D类音频放大器
视频
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功率转换和控制方面的高效电源使用和效率。
Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET
具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。
数据手册
发布日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2025-06-13